Titre :	Dispositifs de commande en temps réel
Type de document :	texte imprime
Auteurs :	Toulotte, Jean-Marc, Auteur
Editeur :	Paris : Dunod
Année de publication :	DL 1975, cop. 1975
Autre Editeur :	Bordas
Collection :	Dunod université, ISSN 0750-2435
Importance :	(XXV-572 p.)
Présentation :	ill., couv. ill. en coul.
Format :	24 cm
Note générale :	Bibliogr. p. 567-568. Index
Langues :	Français
Mots-clés :	Semiconducteurs  Circuits intégrés  Composants électroniques  Semiconductors  Integrated circuits
Note de contenu :	Chapitre I. Propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs Chapitre II. La jonction p-n Chapitre III. Applications particulières de la diode à jonction Chapitre IV. Les hétérojonctions Chapitre V. Le transistor bipolaire Chapitre VI. La structure M.I.S. et les dispositifs C.C.D. Chapitre VII. Les transistors à effet de champ Chapitre VIII. Architecture et conception des circuits intégrés Chapitre IX. Les circuits intégrés logiques Chapitre X. Circuits intégrés analogiques Chapitre XI. Technologie des dispositifs semiconducteurs Chapitre XII. Méthodes de caractérisation en technologie semiconducteur
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=9486

Dispositifs de commande en temps réel [texte imprime] / Toulotte, Jean-Marc, Auteur . - Paris : Dunod : [S.l.] : Bordas, DL 1975, cop. 1975 . - (XXV-572 p.) : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Dunod université, ISSN 0750-2435) .
Bibliogr. p. 567-568. Index
Langues : Français

Mots-clés :	Semiconducteurs  Circuits intégrés  Composants électroniques  Semiconductors  Integrated circuits
Note de contenu :	Chapitre I. Propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs Chapitre II. La jonction p-n Chapitre III. Applications particulières de la diode à jonction Chapitre IV. Les hétérojonctions Chapitre V. Le transistor bipolaire Chapitre VI. La structure M.I.S. et les dispositifs C.C.D. Chapitre VII. Les transistors à effet de champ Chapitre VIII. Architecture et conception des circuits intégrés Chapitre IX. Les circuits intégrés logiques Chapitre X. Circuits intégrés analogiques Chapitre XI. Technologie des dispositifs semiconducteurs Chapitre XII. Méthodes de caractérisation en technologie semiconducteur
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