Titre :	Étude des phénomènes de piégeages dans l’oxyde de grille sur des transistors affectés par une dégradation NBTI
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	Ahcène Boussafeur ; Ait Yakoub Abdel Krim ; Ghania Ait Abdelmalek, Directeur de thèse
Editeur :	Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O
Année de publication :	2020
Importance :	55 p.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	Bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	NBTI  Fiabilité  Modélisation  Transistor
Résumé :	L'objectif de ce travail est d'étudier l'impact de la dégradation NBTI sur les transistors MOS de différentes dimensions. Dans un premier temps, nous avons définit le fonctionnement des transistors MOS ainsi que leur fiabilité. Par la suite, nous avons exposé les différentes méthodes de caractérisations rapides permettant de mesurer correctement cette dégradation afin de limiter les effets de relaxation qui succèdent à la dégradation BTI. Nous avons aussi présenté les différents modèles utilisés habituellement pour décrire d'une manière efficace et précise les phénomènes de piégeages dans l'oxyde de grille des transistors.
En ligne :	D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\BOUSSAFEUR AHCèNE; AIT YAKOUB ABDEL KRIM.PDF
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=35757

Étude des phénomènes de piégeages dans l’oxyde de grille sur des transistors affectés par une dégradation NBTI [theses et memoires] / Ahcène Boussafeur ; Ait Yakoub Abdel Krim ; Ghania Ait Abdelmalek, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 55 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	NBTI  Fiabilité  Modélisation  Transistor
Résumé :	L'objectif de ce travail est d'étudier l'impact de la dégradation NBTI sur les transistors MOS de différentes dimensions. Dans un premier temps, nous avons définit le fonctionnement des transistors MOS ainsi que leur fiabilité. Par la suite, nous avons exposé les différentes méthodes de caractérisations rapides permettant de mesurer correctement cette dégradation afin de limiter les effets de relaxation qui succèdent à la dégradation BTI. Nous avons aussi présenté les différents modèles utilisés habituellement pour décrire d'une manière efficace et précise les phénomènes de piégeages dans l'oxyde de grille des transistors.
En ligne :	D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\BOUSSAFEUR AHCèNE; AIT YAKOUB ABDEL KRIM.PDF
Format de la ressource électronique :	PDF
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