Titre :	Caractérisation de la microstructure de défaut dans les dispositifs MOS par la technique SDT (Spin-dependenttunneling)
Type de document :	theses et memoires
Auteurs :	Chafia Chamek, Auteur ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse
Editeur :	Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI
Année de publication :	2017
Importance :	72 f.
Présentation :	ill.
Format :	30cm.
Note générale :	Bibliogr.
Langues :	Français
Mots-clés :	CMOS  MOSFET  VDMOSFET  EDMR  EPR SDT  SDR  Microélectronique  Si/SiO2 piège E’.
Résumé :	Ces dernières décennies, l’industrie micro-électronique a réalisé d’énormes progrès, tout les composants ont subit des profondes modifications pour répondre aux besoins des utilisateurs quotidienne, à utiliser des dispositifs de taille réduite et consommant moins d’énergie. Nous avons alors assistés à une évolution de la technologie CMOS et une course vers la miniaturisation des circuits intégrés et par conséquent le transistor MOS (MOSFET). Cette réduction d’échelle consiste à réduire la structure physique du transistor MOSFET en générale et les zones actives en particulier, l’une des principales conséquences est la réduction de l’oxyde de grille des MOSFET (un paramètre primordial dans le fonctionnement du composant), cela peut induire a l’apparition de certains défauts localisés dans l’oxyde et l’interface oxyde/silicium qui causent la dégradation des composants d’avantage (due a augmentation de champ électrique par la réduction de l’épaisseur de l’oxyde de grille . La fiabilité et la dégradation des transistors MOSFET au cours du temps ont fait l’objet de nombreuses études. Nous avons fait le choix dans notre travail de se focaliser sur la caractérisation de la microstructure des défauts (pièges), dans le but analyser le type et la structure des pièges présent dans l’oxyde de grille (SiO2) ou bien à l’interface Si/SiO2 à l’échelle microscopique. Les techniques utilisées dans ce travail pour l’identification de microstructures des pièges sont basées sur la résonance paramagnétique électronique (RPE) et appelées Low Field Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR).
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7593/ChamekChafia.pdf?sequence=1&isAl [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=32562

Caractérisation de la microstructure de défaut dans les dispositifs MOS par la technique SDT (Spin-dependenttunneling) [theses et memoires] / Chafia Chamek, Auteur ; Arezki Benfdila, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2017 . - 72 f. : ill. ; 30cm.
Bibliogr.
Langues : Français

Mots-clés :	CMOS  MOSFET  VDMOSFET  EDMR  EPR SDT  SDR  Microélectronique  Si/SiO2 piège E’.
Résumé :	Ces dernières décennies, l’industrie micro-électronique a réalisé d’énormes progrès, tout les composants ont subit des profondes modifications pour répondre aux besoins des utilisateurs quotidienne, à utiliser des dispositifs de taille réduite et consommant moins d’énergie. Nous avons alors assistés à une évolution de la technologie CMOS et une course vers la miniaturisation des circuits intégrés et par conséquent le transistor MOS (MOSFET). Cette réduction d’échelle consiste à réduire la structure physique du transistor MOSFET en générale et les zones actives en particulier, l’une des principales conséquences est la réduction de l’oxyde de grille des MOSFET (un paramètre primordial dans le fonctionnement du composant), cela peut induire a l’apparition de certains défauts localisés dans l’oxyde et l’interface oxyde/silicium qui causent la dégradation des composants d’avantage (due a augmentation de champ électrique par la réduction de l’épaisseur de l’oxyde de grille . La fiabilité et la dégradation des transistors MOSFET au cours du temps ont fait l’objet de nombreuses études. Nous avons fait le choix dans notre travail de se focaliser sur la caractérisation de la microstructure des défauts (pièges), dans le but analyser le type et la structure des pièges présent dans l’oxyde de grille (SiO2) ou bien à l’interface Si/SiO2 à l’échelle microscopique. Les techniques utilisées dans ce travail pour l’identification de microstructures des pièges sont basées sur la résonance paramagnétique électronique (RPE) et appelées Low Field Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR).
En ligne :	https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/7593/ChamekChafia.pdf?sequence=1&isAl [...]
Format de la ressource électronique :	PDF
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=32562