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| Titre : | Etude et Caractérisation d’une structure électronique de type ITO/PMMA/Pentacène | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Amar Ould Braham, Auteur ; Ouiza Boughias, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | | Année de publication : | 2012 | | Importance : | 48 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | MOSFET OFET ITO / PMMA. | | Résumé : | La structure M-I-S (Métal-Isolant-Semi-conducteur), est la base pour la réalisation des
transistors.
Le travail fis dans ce mémoire est une étude d’une structure électronique de type
ITO/PMMA/PENTACENE (MIS) pour réaliser un transistor organique à effet de champ (OFET), pour
cela nous avons abordé les transistors MOS à effet de champ (MOSFET) en premier, et l’introduction
des matériaux organiques dans les MOSFET, nous donne les transistors organiques à effet de champ(
OFET). Les transistors à base de ces matériaux sontdevenusintéressantgrâce à denombreux atouts
dont on peut citer : Bas coût de fabrication ; le support de fabrication être flexible comme le papier,
alors cette électronique devient souple et légère et moins coûteuse. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8289/OuldBrahamAmar.pdf?sequence=1&is [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=26880 |
Etude et Caractérisation d’une structure électronique de type ITO/PMMA/Pentacène [theses et memoires] / Amar Ould Braham, Auteur ; Ouiza Boughias, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2012 . - 48 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | MOSFET OFET ITO / PMMA. | | Résumé : | La structure M-I-S (Métal-Isolant-Semi-conducteur), est la base pour la réalisation des
transistors.
Le travail fis dans ce mémoire est une étude d’une structure électronique de type
ITO/PMMA/PENTACENE (MIS) pour réaliser un transistor organique à effet de champ (OFET), pour
cela nous avons abordé les transistors MOS à effet de champ (MOSFET) en premier, et l’introduction
des matériaux organiques dans les MOSFET, nous donne les transistors organiques à effet de champ(
OFET). Les transistors à base de ces matériaux sontdevenusintéressantgrâce à denombreux atouts
dont on peut citer : Bas coût de fabrication ; le support de fabrication être flexible comme le papier,
alors cette électronique devient souple et légère et moins coûteuse. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/8289/OuldBrahamAmar.pdf?sequence=1&is [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=26880 |
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