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| Titre : | Etude comparative des performances des cellules solaires à jonctions simple et multiple. | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Samira Oussidhoum ; Mohammed Megherbi, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi Ouzou : UMMTO.FGEI | | Année de publication : | 2015 | | Importance : | 81p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Cellule solaire, AFORS-HET, Simple jonction, Multijonctions, Silicium. | | Résumé : | Au cours de ce travail, nous avons effectué une étude comparative entre les performances
de différentes structures de cellules solaires avec jonctions simple et multiple.
Les cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V offrent les meilleurs
rendements de conversion (41.6 %) mais cette technologie est très coûteuse. Dans la
technologie silicium, les cellules solaires à homojonction peuvent atteindre un rendement
maximum de 25% (proche de la limite théorique de 29%) mais avec un procédé issu de la
microélectronique, qui est loin d’être industrialisable à cause de son coût très élevé.
Parmi les cellules solaires à base de silicium, les hétérojonctions a-Si :H/c-Si montrent un
fort potentiel d’amélioration du rendement de conversion et la réduction des coûts de
fabrication. Selon nos résultats de simulation utilisant le logiciel AFORS-HET, les cellules
solaires à double hétérojonction présentent les meilleures performances photovoltaïques avec
un rendement maximal de 19%, comparativement aux cellules à simple hétérojonction ayant
un rendement de 14.7%. Le rendement des cellules solaires à double hétérojonction est
amélioré après l’insertion d’une couche amorphe intrinsèque a-Si : H(i) sur les faces avant et
arrière, donnant ainsi lieu à la structure HIT. Nous avons obtenu, par simulation des cellules
HIT, un rendement de 23.69%, qui est proche du rendement expérimental de 23.7% atteint par
la société japonaise Sanyo sur ce type de cellules.
Nous pouvons déduire, qu’il est possible d’améliorer encore le rendement de conversion
des cellules HIT à 25% en misant sur les paramètres optimaux à savoir : un émetteur ayant un
gap de 1,75 eV et une épaisseur de 5 nm dopé à 7,89.1019cm-3, une épaisseur du substrat de
250µm dopé à 2.1015cm-3 et une épaisseur de la couche intrinsèque (i) de 5nm. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/457/Oussidhoum%20S..pdf?sequence=1&is [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24973 |
Etude comparative des performances des cellules solaires à jonctions simple et multiple. [theses et memoires] / Samira Oussidhoum ; Mohammed Megherbi, Directeur de thèse . - Tizi Ouzou (Tizi Ouzou) : UMMTO.FGEI, 2015 . - 81p. : ill. ; 30cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Cellule solaire, AFORS-HET, Simple jonction, Multijonctions, Silicium. | | Résumé : | Au cours de ce travail, nous avons effectué une étude comparative entre les performances
de différentes structures de cellules solaires avec jonctions simple et multiple.
Les cellules solaires à multijonctions à base de semiconducteurs III-V offrent les meilleurs
rendements de conversion (41.6 %) mais cette technologie est très coûteuse. Dans la
technologie silicium, les cellules solaires à homojonction peuvent atteindre un rendement
maximum de 25% (proche de la limite théorique de 29%) mais avec un procédé issu de la
microélectronique, qui est loin d’être industrialisable à cause de son coût très élevé.
Parmi les cellules solaires à base de silicium, les hétérojonctions a-Si :H/c-Si montrent un
fort potentiel d’amélioration du rendement de conversion et la réduction des coûts de
fabrication. Selon nos résultats de simulation utilisant le logiciel AFORS-HET, les cellules
solaires à double hétérojonction présentent les meilleures performances photovoltaïques avec
un rendement maximal de 19%, comparativement aux cellules à simple hétérojonction ayant
un rendement de 14.7%. Le rendement des cellules solaires à double hétérojonction est
amélioré après l’insertion d’une couche amorphe intrinsèque a-Si : H(i) sur les faces avant et
arrière, donnant ainsi lieu à la structure HIT. Nous avons obtenu, par simulation des cellules
HIT, un rendement de 23.69%, qui est proche du rendement expérimental de 23.7% atteint par
la société japonaise Sanyo sur ce type de cellules.
Nous pouvons déduire, qu’il est possible d’améliorer encore le rendement de conversion
des cellules HIT à 25% en misant sur les paramètres optimaux à savoir : un émetteur ayant un
gap de 1,75 eV et une épaisseur de 5 nm dopé à 7,89.1019cm-3, une épaisseur du substrat de
250µm dopé à 2.1015cm-3 et une épaisseur de la couche intrinsèque (i) de 5nm. | | En ligne : | https://dl.ummto.dz/bitstream/handle/ummto/457/Oussidhoum%20S..pdf?sequence=1&is [...] | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=24973 |
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