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| Titre : | Étude et caractérisation d’un transistor organique à effet de champ avec PVP : ZnO isolant de grille | | Type de document : | theses et memoires | | Auteurs : | Jugurtha Lamrani ; Ouled Meriem Abdelhak ; Ouiza Boughias, Directeur de thèse | | Editeur : | Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O | | Année de publication : | 2020 | | Importance : | 48 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 30 cm. | | Note générale : | Bibliogr. | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Polyvenyphynol (PVP) Transistor MOSFET Oxyde de silicium (SiO2) Pentacéne Oxydes transparents conducteurs (TCOs) Oxyde d’indium étain (ITO) Polymères Transistors organiques Oxyde de zinc (ZnO) Isolant de grille | | Résumé : | Dans ce mémoire, nous avons principalement porté intérêt sur l’augmentation de la permittivité diélectrique des polymères isolants ainsi que leurs effets sur les caractéristiques
électriques des transistors organiques en couches minces (OTFTs). L’étude a été réalisée à partir d’un des polymères isolants le plus souvent utilisé pour les transistors organiques à effet de champ : le PVP (poly 4, vinylphénol) dont la permittivité diélectrique relative est de 3.6.
Cette faible permittivité limite les performances des transistors organiques réalisés. Pour augmenter cette permittivité, nous avons inséré des nanoparticules de ZnO dans la matrice et nous avons comparé deux séries de transistors organique, une avec des nanoparticules de ZnO et le PVP , et la deuxième juste avec le PVP.
Aussi, nous avons obtenu une amélioration des performances des OTFTs en termes de mobilité des porteurs de charges, de tension seuil ainsi que de courant de saturation. Cette amélioration se traduit par une augmentation considérable à la fois de la mobilité par effet de champ des porteurs et du courant de saturation drain source d’un facteur 10. Nous avons démontré aussi que la tension de seuil est ajustable, elle se déplace de 8 V à 0 V pour des concentrations de ZnO allant de 0% à 50% en volume. Nous avons démontré que la permittivité augmente de 3,6 à 5,5 sans phénomène de percolation, même à une concentration de 50% en volume. | | En ligne : | D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\LAMRANI JUGURTHA; OULED MERIEM ABDELHAK.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=35871 |
Étude et caractérisation d’un transistor organique à effet de champ avec PVP : ZnO isolant de grille [theses et memoires] / Jugurtha Lamrani ; Ouled Meriem Abdelhak ; Ouiza Boughias, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 48 p. : ill. ; 30 cm. Bibliogr. Langues : Français | Mots-clés : | Polyvenyphynol (PVP) Transistor MOSFET Oxyde de silicium (SiO2) Pentacéne Oxydes transparents conducteurs (TCOs) Oxyde d’indium étain (ITO) Polymères Transistors organiques Oxyde de zinc (ZnO) Isolant de grille | | Résumé : | Dans ce mémoire, nous avons principalement porté intérêt sur l’augmentation de la permittivité diélectrique des polymères isolants ainsi que leurs effets sur les caractéristiques
électriques des transistors organiques en couches minces (OTFTs). L’étude a été réalisée à partir d’un des polymères isolants le plus souvent utilisé pour les transistors organiques à effet de champ : le PVP (poly 4, vinylphénol) dont la permittivité diélectrique relative est de 3.6.
Cette faible permittivité limite les performances des transistors organiques réalisés. Pour augmenter cette permittivité, nous avons inséré des nanoparticules de ZnO dans la matrice et nous avons comparé deux séries de transistors organique, une avec des nanoparticules de ZnO et le PVP , et la deuxième juste avec le PVP.
Aussi, nous avons obtenu une amélioration des performances des OTFTs en termes de mobilité des porteurs de charges, de tension seuil ainsi que de courant de saturation. Cette amélioration se traduit par une augmentation considérable à la fois de la mobilité par effet de champ des porteurs et du courant de saturation drain source d’un facteur 10. Nous avons démontré aussi que la tension de seuil est ajustable, elle se déplace de 8 V à 0 V pour des concentrations de ZnO allant de 0% à 50% en volume. Nous avons démontré que la permittivité augmente de 3,6 à 5,5 sans phénomène de percolation, même à une concentration de 50% en volume. | | En ligne : | D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\LAMRANI JUGURTHA; OULED MERIEM ABDELHAK.PDF | | Format de la ressource électronique : | PDF | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=35871 |
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