A partir de cette page vous pouvez :
author
| Retourner au premier écran avec les étagères virtuelles... |
Détail de l'auteur
Auteur Ahcène Boussafeur |
Documents disponibles écrits par cet auteur
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la recherche Interroger des sources externesÉtude des phénomènes de piégeages dans l’oxyde de grille sur des transistors affectés par une dégradation NBTI / Ahcène Boussafeur (2020)
Titre : Étude des phénomènes de piégeages dans l’oxyde de grille sur des transistors affectés par une dégradation NBTI Type de document : theses et memoires Auteurs : Ahcène Boussafeur ; Ait Yakoub Abdel Krim ; Ghania Ait Abdelmalek, Directeur de thèse Editeur : Tizi.Ouzou : U.M.M.T.O Année de publication : 2020 Importance : 55 p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Bibliogr. Langues : Français Mots-clés : NBTI Fiabilité Modélisation Transistor Résumé : L'objectif de ce travail est d'étudier l'impact de la dégradation NBTI sur les transistors MOS de différentes dimensions. Dans un premier temps, nous avons définit le fonctionnement des transistors MOS ainsi que leur fiabilité. Par la suite, nous avons exposé les différentes méthodes de caractérisations rapides permettant de mesurer correctement cette dégradation afin de limiter les effets de relaxation qui succèdent à la dégradation BTI. Nous avons aussi présenté les différents modèles utilisés habituellement pour décrire d'une manière efficace et précise les phénomènes de piégeages dans l'oxyde de grille des transistors. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\BOUSSAFEUR AHCèNE; AIT YAKOUB ABDEL KRIM.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=35757 Étude des phénomènes de piégeages dans l’oxyde de grille sur des transistors affectés par une dégradation NBTI [theses et memoires] / Ahcène Boussafeur ; Ait Yakoub Abdel Krim ; Ghania Ait Abdelmalek, Directeur de thèse . - Tizi.Ouzou (Tizi.Ouzou) : U.M.M.T.O, 2020 . - 55 p. : ill. ; 30 cm.
Bibliogr.
Langues : Français
Mots-clés : NBTI Fiabilité Modélisation Transistor Résumé : L'objectif de ce travail est d'étudier l'impact de la dégradation NBTI sur les transistors MOS de différentes dimensions. Dans un premier temps, nous avons définit le fonctionnement des transistors MOS ainsi que leur fiabilité. Par la suite, nous avons exposé les différentes méthodes de caractérisations rapides permettant de mesurer correctement cette dégradation afin de limiter les effets de relaxation qui succèdent à la dégradation BTI. Nous avons aussi présenté les différents modèles utilisés habituellement pour décrire d'une manière efficace et précise les phénomènes de piégeages dans l'oxyde de grille des transistors. En ligne : D:\CD THESES 2020\RETARDATAIRES\BOUSSAFEUR AHCèNE; AIT YAKOUB ABDEL KRIM.PDF Format de la ressource électronique : Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=35757 Réservation
Réserver ce document
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAST.ELN.159-20/1 MAST.ELN.159-20 Mémoires Magasin de Thèses et Mémoires / FGE Master en Electrotechnique Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
