VLSI Fabrication principles silicon and gallium arsenide / Ghandhi, Sorab Khushro (cop. 1994) 

Public ISBD Titre : VLSI Fabrication principles silicon and gallium arsenide Type de document : texte imprime Auteurs : Ghandhi, Sorab Khushro Mention d'édition : 2e èd. Editeur : New York : John Wiley & Sons Année de publication : cop. 1994 Importance : (XI-834 p.) Présentation : ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-471-58005-8 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Anglais Mots-clés : Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Circuits intégrés à très grande échelle  Silicone  Arséniure de gallium  Silicon  Gallium arsenide  Integrated circuits:very large scale integration Résumé : Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits. An Instructor′s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department. Note de contenu : En ligne : https://www.amazon.fr/VLSI-Fabrication-Principles-Silicon-Arsenide/dp/0471580058 [...] Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9734 VLSI Fabrication principles silicon and gallium arsenide [texte imprime] / Ghandhi, Sorab Khushro  . -  2e èd. . - New York : John Wiley & Sons, cop. 1994 . - (XI-834 p.) : ill. ; 25 cm. ISBN : 978-0-471-58005-8 Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Anglais Mots-clés : Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Circuits intégrés à très grande échelle  Silicone  Arséniure de gallium  Silicon  Gallium arsenide  Integrated circuits:very large scale integration Résumé : Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits. An Instructor′s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department. Note de contenu : En ligne : https://www.amazon.fr/VLSI-Fabrication-Principles-Silicon-Arsenide/dp/0471580058 [...] Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=9734

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
CI66/1	CI66	Livre	Magasin d'Ouvrages / FGE	Communication instrumentation	Consultation sur place Exclu du prêt

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