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Auteur Philippe Cazenave |
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Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome1, dispositifs au silicium Type de document : texte imprime Auteurs : Philippe Cazenave, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Hermès Science publications-Lavoisier Année de publication : DL 2004, cop. 2004 Collection : Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique Importance : 335 p. Présentation : ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Avant-propos.
Approche fondamentale du transistor bipolaire.
Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire.
Comportement dynamique du transistor bipolaire.
Modèle de Gummel et Poon.
Intégration des structures bipolaires au silicium.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10783 Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome1, dispositifs au silicium [texte imprime] / Philippe Cazenave, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Paris : Hermès Science publications-Lavoisier, DL 2004, cop. 2004 . - 335 p. : ill. ; 25 cm. - (Traité EGEM, Série électronique et micro-électronique) .
ISBN : 978-2-7462-0987-9
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Avant-propos.
Approche fondamentale du transistor bipolaire.
Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire.
Comportement dynamique du transistor bipolaire.
Modèle de Gummel et Poon.
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Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10783 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité EG430/T1/1 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Consultation sur place
Exclu du prêtEG430/T1/2 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG430/T1/3 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible EG430/T1/4 EG430/T1 Livre Magasin d'Ouvrages / FGE Electronique générale Disponible Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome2, Dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprime Auteurs : Philippe Cazenave Editeur : Hermes science publ. Année de publication : cop. 2005 Autre Editeur : Lavoisier Importance : (234-IV p.) Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V -Ph. Cazenave.
Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe -B. Ardouin, T. Zimmer, Ph. Cazenave.
Modélisation bipolaire avancée -B. Ardouin, T. Zimmer.
Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -T. Zimmer, B. Ardouin.
Bibliographie.
Index.Permalink : ./index.php?lvl=notice_display&id=10784 Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome2, Dispositifs à hétérojonctions [texte imprime] / Philippe Cazenave . - [S.l.] : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2005 . - (234-IV p.) : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7462-1172-8
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français
Mots-clés : Transistors bipolaires Technologie silicium sur isolant Index. décimale : 621.381 Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V -Ph. Cazenave.
Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe -B. Ardouin, T. Zimmer, Ph. Cazenave.
Modélisation bipolaire avancée -B. Ardouin, T. Zimmer.
Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -T. Zimmer, B. Ardouin.
Bibliographie.
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