Titre :	Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome2, Dispositifs à hétérojonctions
Type de document :	texte imprime
Auteurs :	Philippe Cazenave
Editeur :	Hermes science publ.
Année de publication :	cop. 2005
Autre Editeur :	Lavoisier
Importance :	(234-IV p.)
Présentation :	ill.
Format :	24 cm
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-7462-1172-8
Note générale :	Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues :	Français
Mots-clés :	Transistors bipolaires  Technologie silicium sur isolant
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.
Note de contenu :	Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V -Ph. Cazenave. Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe -B. Ardouin, T. Zimmer, Ph. Cazenave. Modélisation bipolaire avancée -B. Ardouin, T. Zimmer. Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -T. Zimmer, B. Ardouin. Bibliographie. Index.
Permalink :	./index.php?lvl=notice_display&id=10784

Modélisation du transistor bipolaire intégré.Tome2, Dispositifs à hétérojonctions [texte imprime] / Philippe Cazenave . - [S.l.] : Hermes science publ. : [S.l.] : Lavoisier, cop. 2005 . - (234-IV p.) : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7462-1172-8
Bibliogr. en fin de chapitres. Index
Langues : Français

Mots-clés :	Transistors bipolaires  Technologie silicium sur isolant
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.
Note de contenu :	Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V -Ph. Cazenave. Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe -B. Ardouin, T. Zimmer, Ph. Cazenave. Modélisation bipolaire avancée -B. Ardouin, T. Zimmer. Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -T. Zimmer, B. Ardouin. Bibliographie. Index.
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