|
| Titre : | Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium | | Type de document : | texte imprime | | Auteurs : | Jacques Gautier, Directeur de publication, rédacteur en chef | | Editeur : | Lavoisier | | Année de publication : | impr. 2003 | | Autre Editeur : | Hermes science publ. | | Importance : | 367 p. | | Présentation : | ill., couv. ill. | | Format : | 25 cm | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7462-0658-8 | | Note générale : | Trad. sous le titre : "Physics and operation of silicon devices in integrated circuits"
Bibliogr. en fin de chapitres. Index | | Langues : | Français | | Mots-clés : | Semiconducteurs MOS (électronique) Technologie silicium sur isolant Transistors MOSFET Circuits intégrés bipolaires Silicium | | Index. décimale : | 6213815 | | Résumé : |
Depuis l'invention du premier transistor en 1947, puis celle du circuit intégré en 1958, par Jack Kilby, les progrès de la microélectronique ont été considérables. Aujourd'hui, sans que nous en ayons toujours conscience, nous consommons des quantités considérables de transistors, et les évaluations de nos futurs besoins en la matière font apparaître une demande en très forte croissance. Le développement rapide de la société de l'information fait quasiment exploser cette demande. Les technologies numériques sans fil sont déjà omniprésentes, mais pour permettre un accès à l'information, à l'image notamment, par tous, partout et n'importe quand, de nouveaux moyens de communication et de traitement devront être déployés. Le caractère nomade des nouvelles applications implique par ailleurs que des prouesses techniques soient encore accomplies, en particulier en ce qui concerne la miniaturisation des circuits et de leurs éléments constitutifs, transistors entre autres. Si plusieurs ouvrages de la collection EGEM permettent d'appréhender les différentes facettes de la dynamique de progrès de la microélectronique, celui-ci est dédié aux bases physiques qui interviennent dans le fonctionnement des principaux dispositifs. Rédigés par des universitaires, chercheurs et industriels qui maîtrisent parfaitement les domaines correspondant, il tente de répondre aux attentes du lecteur en la matière, que ce soit pour satisfaire son propre plaisir de comprendre, que ce soit pour ensuite mieux transmettre ses connaissances dans ce domaine, ou que ce soit pour mieux exploiter les propriétés physiques des dispositifs et des semi-conducteurs et contribuer lui-même directement à cette dynamique de progrès. Suivant le cas, le lecteur pourra s'attarder plus ou moins longuement sur certains développements mathématiques ou au contraire se limiter aux descriptions qualitatives des dispositifs et de leur fonctionnement. | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=10056 |
Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium [texte imprime] / Jacques Gautier, Directeur de publication, rédacteur en chef . - [S.l.] : Lavoisier : [S.l.] : Hermes science publ., impr. 2003 . - 367 p. : ill., couv. ill. ; 25 cm. ISBN : 978-2-7462-0658-8 Trad. sous le titre : "Physics and operation of silicon devices in integrated circuits"
Bibliogr. en fin de chapitres. Index Langues : Français | Mots-clés : | Semiconducteurs MOS (électronique) Technologie silicium sur isolant Transistors MOSFET Circuits intégrés bipolaires Silicium | | Index. décimale : | 6213815 | | Résumé : |
Depuis l'invention du premier transistor en 1947, puis celle du circuit intégré en 1958, par Jack Kilby, les progrès de la microélectronique ont été considérables. Aujourd'hui, sans que nous en ayons toujours conscience, nous consommons des quantités considérables de transistors, et les évaluations de nos futurs besoins en la matière font apparaître une demande en très forte croissance. Le développement rapide de la société de l'information fait quasiment exploser cette demande. Les technologies numériques sans fil sont déjà omniprésentes, mais pour permettre un accès à l'information, à l'image notamment, par tous, partout et n'importe quand, de nouveaux moyens de communication et de traitement devront être déployés. Le caractère nomade des nouvelles applications implique par ailleurs que des prouesses techniques soient encore accomplies, en particulier en ce qui concerne la miniaturisation des circuits et de leurs éléments constitutifs, transistors entre autres. Si plusieurs ouvrages de la collection EGEM permettent d'appréhender les différentes facettes de la dynamique de progrès de la microélectronique, celui-ci est dédié aux bases physiques qui interviennent dans le fonctionnement des principaux dispositifs. Rédigés par des universitaires, chercheurs et industriels qui maîtrisent parfaitement les domaines correspondant, il tente de répondre aux attentes du lecteur en la matière, que ce soit pour satisfaire son propre plaisir de comprendre, que ce soit pour ensuite mieux transmettre ses connaissances dans ce domaine, ou que ce soit pour mieux exploiter les propriétés physiques des dispositifs et des semi-conducteurs et contribuer lui-même directement à cette dynamique de progrès. Suivant le cas, le lecteur pourra s'attarder plus ou moins longuement sur certains développements mathématiques ou au contraire se limiter aux descriptions qualitatives des dispositifs et de leur fonctionnement. | | Permalink : | ./index.php?lvl=notice_display&id=10056 |
|  |
Physique des dispositifs pour circuits intégrés silicium (impr. 2003)
